Сапельнікова О. Ю., Карачевцева Л. А., Панова О. В., Бурдейна Н. Б. Визначення напруженості локального електричного поля в окислених структурах макропористого кремнію з наночастинками ZnO та CdS на границі «Si – SiO2» // Міжнародний науковий журнал "Інтернаука". - 2020. - №3.
Аннотация: Гетероструктура p-GaTe – n-InSeсформирована методом механического соприкосновения окисленной пластины GaTe с ван-дер-ваальсовой поверхностью InSe. С помощью АСМ-изображений исследована топология поверхности слоистых кристаллов GaTe и InSe. Показано, что на гетерогранице p-GaTe – n-InSe присутствует тонкий диэлектрический слой собственного оксида Ga2O3. Приведенная прямая ветвь вольт-амперной характеристики показывает, что гетеропереход обладает высокими диодными свойствами.Установлена область спектральной фоточувствительности гетероструктуры p-GaTe – n-InSe и показаны особенности ее зонной энергетической диаграммы.
Ключевые слова: селенид индия, слоистые кристаллы, гетеропереходы, АСМ-изображения, спектральные характеристики.
