Аннотация: Гетероструктура p-GaTe – n-InSeсформирована методом механического соприкосновения окисленной пластины GaTe с ван-дер-ваальсовой поверхностью InSe. С помощью АСМ-изображений исследована топология поверхности слоистых кристаллов GaTe и InSe. Показано, что на гетерогранице p-GaTe – n-InSe присутствует тонкий диэлектрический слой собственного оксида Ga2O3. Приведенная прямая ветвь вольт-амперной характеристики показывает, что гетеропереход обладает высокими диодными свойствами.Установлена область спектральной фоточувствительности гетероструктуры p-GaTe – n-InSe и показаны особенности ее зонной энергетической диаграммы.
Ключевые слова: селенид индия, слоистые кристаллы, гетеропереходы, АСМ-изображения, спектральные характеристики.
